KAIST 최양규 교수님팀에서 개발을 했다는 뉴스가 떴네요. 멋지십니다.

직접링크는 안되니까 검색링크(http://search.daum.net/search?t__nil_searchbox=btn&w=tot&sType=tot&q=uram)로 대체합니다. ^^

그동안 대세였던 MCP(Multi-Chip Package)에서 벗어나 새로운 구조로 만들게 되었다고 하네요. 임베디드 시스템에서 휘발성과 비휘발성 메모리가 동시에 필요한 경우가 많은데 소형화에 도움이 될 듯 하네요.
아직 양산체제가 되진 않았지만 이러한 새로운 패러다임이 생길수록 개발자들은 편해지기도 고생하기도 하지요. ㅠㅠ
트랜지스터의 몸통에 DRAM을 구현하고 게이트에 절연막구조를 결합시키는 방식을 사용한다고 뉴스에는 말하고 있는데 머리가 나빠서 그런지 뭔 소린지 모르겠네요.(전공관련 맞긴한가?)
대충 일반 TR에 DRAM을 구현하고 절연막구조라는게 floating gate를 말하는 거 같은데.... 그럼 단순히 DRAM+FLASH인가라는 의문이.. -_-;;
아마 관련 논문이 나오겠지요? 여유생기면 좀 찾아봐야겠습니다.